电子技术基础期末试卷(A卷)

内蒙古应用技术专修学院 2014 — 2015 学年第 2 学期 电子技术基础期末考试卷（A 卷）
班级
题号 分数 图2 一 二

7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为 6V、2.7V、2V， （见图 2 所示）则此三极管为（ ）

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三 四

学号
总分 阅卷人

一、选择题（本大题共 10 小题，每小题 3 分，共计 30 分。每小题只 有一个正确答案。 ） 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正 偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反 偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、 画三极管放大电路的小信号等效电路时， 直流电压源 VCC 应当 （ ） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低 阻负载间接入（ ） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集 -共基串联电路

A、PNP 型锗三极管 B、NPN 型锗三极管 C、PNP 型硅三极管 D、NPN 型硅三极管 8 、当放大电路的电压增益为 -20dB 时，说明它的电压放大倍数为 （ ） A、20 倍 B、-20 倍 C、-10 倍 D、0.1 倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设 U2 为其输入电压，输出电压 的平均值约为（ ） A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、 U0=1.4U2 二、判断题（本大题共 5 小题，每小题 2 分，共计 10 分。每小题叙 述正确的在答题卡上选涂“ A” ，叙述错误的在答题卡上选涂“ B” 。 ） 1.P 型 半 导 体 中 ， 多 数 载 流 子 是 空 穴 （ ） 2. 环 境 温 度 升 高 时 ， 半 导 体 的 导 电 能 力 将 显 著 下 降 （ ） 3. 二 极 管 正 偏 时 ， 电 阻 较 小 ， 可 等 效 开 关 断 开 （ ） 4. 稳 压 二 极 管 工 作 在 反 向 击 穿 区 域 （ ） 5. 光 电 二 极 管 是 一 种 把 电 能 转 变 为 光 能 的 半 导 体 器 件 （ ） 1

三、填空题（本大题共 10 小题，每小题 3 分，共计 30 分。 ） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下 的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为 _ _V，导通后在 较大电流下的正向压降约为_ _V。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。 3、二极管的最主要特性是 。ＰＮ结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 4、二极管最主要的电特性是 ，稳压二极管在使用时， 稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一 个 。 5、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 电容，影响高频信号放大的是 电容。 6、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不 变，三极管的β 增加，则 IBQ ，ICQ ，UCEQ 。 7、三极管的三个工作区域是 ， ， 。集 成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路。 8、 某放大电路中的三极管， 在工作状态中测得它的管脚电压 Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 管（材料） ， 型 的三极管，该管的集电极是 a、b、c 中的 。 9、 已知某两级放大电路中第一、 第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大 电路总 的对 数增益为 dB ，总的 电压放 大倍 数 为 。 10.三极管有三个电极，即发射极、 和集电极。 二、简答题（本大题共 2 小题，每小题 15 分，共计 30 分。 ） 1．简述影响放大电路频率特性的主要因素。

2．简述负反馈对放大电路性能的影响。

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