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COG流程介绍


COG製程介紹

COG BONDINT條件 條件
時間 溫度 壓力

IC

Panel

ACF

Cell

Cell

Pad

Bonding area

COG Process Flowchart
Cell Loader Wet Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

目的: 目的:將 Cell 傳送至機台內 工具: 工具:Loader/Tray盤 盤

COG Process Flowchart
Cell Loader Wet Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

目的: 目的:清除 Cell 上壓著區異物 工具:無塵布 溶劑 工具:無塵布/溶劑 (IPA)

COG Process Flowchart
Cell Loader Wet Clean

目的: 目的:將 ACF 預貼於 Cell 上
ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

工具:ACF 工具:

COG Process Flowchart
Cell Loader Wet Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

目的: 目的:將 IC 預壓著於 ACF/Cell 上 工具: 假壓) 工具:IC Prebond Unit(假壓 假壓

COG Process Flowchart
Cell Loader Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

目的: 目的:
將 IC 壓著於 ACF/Cell 上 加熱ACF, 使ACF進行硬化反應 加熱 進行硬化反應

工具: 工具:IC Mainbond unit(本壓) (本壓)

COG Process Flowchart
Cell Loader Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

目的: 目的:將 Cell 傳送至機台外 工具: 工具:Unloader/Tray/Convey

COG Process Flowchart
Cell Loader Wet Clean UV Clean ACF Attach IC Prebond IC MainBond Cell Unloader Visual Inspection

目的: 目的:檢查 IC 壓著是否合乎標準 工具: 工具:顯微鏡

COG BONDING注意事項 注意事項
外觀 ACF貼附 貼附 IC壓痕 壓痕 IC壓著精度 壓著精度

COG Criteria (外觀 外觀) 外觀
TFT/CF
比照Cell Kitting規格 玻璃破損 比照 規格 規格 線路刮傷 比照Cell Kitting規格 比照

偏光板
顯示區內不可有壓、 顯示區內不可有壓、刺傷

IC
IC背部不可有裂痕 背部不可有裂痕

COG Criteria (ACF貼附 貼附) 貼附
貼附標準:ACF上緣必須位於 Upper/Lower Limit 之間 貼附精度:± 100 um ±

MARK1' MARK1

ACF上緣上限 上緣上限/ACF upper limit 上緣上限

ACF

ACF上緣下限 上緣下限/ACF lower limit 上緣下限

COG Criteria (壓痕 壓痕) 壓痕
電極上的導電粒子壓痕至少5個 電極上的導電粒子壓痕至少 個 兩個Bump之間不能互相接觸 之間不能互相接觸 兩個 以金屬顯微鏡觀察IC的壓著區不可有異物 以金屬顯微鏡觀察 的壓著區不可有異物

COG Criteria (壓著精度 壓著精度) 壓著精度
L
B

W

A B A B C A B

壓著標準:Bump不可接觸 到灰色區域,且兩顆bump 不可互相接觸 壓著精度:± 5 um(視制 ± ( 程要求而定) 程要求而定)

IC 壓痕不良
狀況描述: 狀況描述: 區塊性 Bump 無導電粒 子壓痕 發生原因: 發生原因: IC 背部異物殘留 本壓頭異物殘留 ACF溢膠 溢膠

IC 對位偏移
狀況描述: 狀況描述: IC 壓著位置未符合規範 發生原因: 發生原因: 石英Backup位置異常 位置異常/ 石英 位置異常 鬆動/高度異常 鬆動 高度異常 IC Mark 辨識不良 本壓平坦度不佳 ACF 貼附不良 異常使用強制對位

IC 破裂 刮傷 破裂/刮傷

狀況描述: 狀況描述: IC 外觀 發生原因: 發生原因: IC 品質不良 IC 於生產過程中遭 壓/刺傷 刺傷

IC Bump 不良

狀況描述: 狀況描述: 單一IC 單一 Bump無導電粒 無導電粒 子壓痕, 子壓痕,或少於五顆導 電粒子壓痕 發生原因: 發生原因: 高度太高/ 單一 Bump 高度太高 太低

END


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