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项目十四 时钟DS1302及其应用_图文


项目十四 时钟DS1302及其应用
DS1302,含有实时时钟 日历和31字节静态 实时时钟/ 字节静态RAM DS1302,含有实时时钟/日历和31字节静态RAM

8.3.1 DS1302的性能与引脚 主要性能
计算2100 年之前的秒、分、时、日、星期、月和 星期、 计算2100 年之前的秒、 能进行闰年调整; 年,能进行闰年调整; 31字节数据RAM; 31字节数据RAM; 字节数据RAM 引脚与TTL 兼容; 引脚与TTL 兼容; 工作电流小于300nA,有备份电源和涓流充电能力。 工作电流小于300nA,有备份电源和涓流充电能力。 300nA

引脚定义
I/O:数据输入/ I/O:数据输入/输出引脚 SCLK: SCLK:串行时钟输入引脚 RST复位引脚 RST复位引脚 GND: GND:接地引脚 Vcc1、Vcc2:工作电源、 Vcc1、Vcc2:工作电源、备份电源引脚 X1、X2:晶振接入管脚。晶振频率为32.768KHz。 X1、X2:晶振接入管脚。晶振频率为32.768KHz。 32.768KHz

8.3.2 DS1302的操作 命令字格式
位: D7 D6 1 R/C D5 A4 D4 A3 D3 A2 D2 A1 D1 A0 D0 R/W

D7位:固定为1 D7位 固定为1 R/C位 R/C位:为0时选择操作时钟,为1时选择操作RAM 时选择操作时钟, 时选择操作RAM A4A3A2A1A0:操作地址 A4A3A2A1A0:操作地址 R/W位 R/W位:为0时进行写操作,为1时进行读操作 时进行写操作,

单字节操作
写操作

读操作

多字节操作(突发模式)
每次写入或读出8个字节时钟日历数据或31个字 每次写入或读出8个字节时钟日历数据或31个字 31 RAM数据 与单字节时相似,仅需将A0~A4 数据。 A0~A4换成 节RAM数据。与单字节时相似,仅需将A0~A4换成 11111” “11111 。

DS1302的寄存器及 的寄存器及RAM 8.3.3 DS1302的寄存器及RAM

日历时钟相关寄存器
寄存 器名 命令字节 写 读 范 围 D7 D6 D5 位内容 D4 D3 D2 D1
D0

秒 分 时 日 月 星期 年

80H 81H 82H 83H 84H 85H 86H 87H 88H 89H 8AH 8BH 8CH 8DH

00~59 00~59 01~12或00~ 23 01~31 01~12 01~07 00~99

CH 0 12/24 0 0 0

秒的十位 分的十位 0 0 0 0 A/ P HR

秒的个位 分的个位 小时个位 日的个位 月的个位 0 星期几 年的个位

日的十 位 0 0 0/ 1 0

年的十位

注意: 注意: 秒寄存器的CH CH位 1、秒寄存器的CH位: 时钟停振,进入低功耗态; 置1,时钟停振,进入低功耗态; 置0,时钟工作。 时钟工作。 2、小时寄存器的D7位: 小时寄存器的D7位 D7 12小时制 D5置 表示上午, 小时制( 表示下午); 置1,12小时制(D5置1表示上午,置0表示下午); 24小时制 此时D5 D4组成小时的十位 小时制( D5、 组成小时的十位)。 置0,24小时制(此时D5、D4组成小时的十位)。

其它寄存器及RAM
命令字节 寄存器名 写保护 涓流充电 时钟突发 RAM突发 RAM0 … RAM30 读 8EH 90H BEH FEH C0H … FCH 写 8FH 91H BFH FFH C1H … FDH 范 围 D7 WP TCS D6 D5 位内容 D4 D3 0 DS RS D 2 D1 D0

00H~80H 00H~FFH 00H~FFH 00H~FFH

RAM数据

注意: 注意: WP:写保护位:置为1 写保护;置为0 1、WP:写保护位:置为1时,写保护;置为0时, 未写保护。 未写保护。 TCS:1010时慢充电 DS为01,选一个二极管, 时慢充电; 2、TCS:1010时慢充电;DS为01,选一个二极管, 10, 个二极管;11或00,禁止充电。 为10,选2个二极管;11或00,禁止充电。 RS:与二极管串联电阻选择。00,不充电;01, 3、RS:与二极管串联电阻选择。00,不充电;01, 2KΩ电阻 10,4KΩ电阻 11,8KΩ电阻 电阻; 电阻; 电阻。 2KΩ电阻;10,4KΩ电阻;11,8KΩ电阻。

DS1302与单片机的接口 8.3.4 DS1302与单片机的接口

接口电路
+3.6V
Ni-Cd

+5V

VCC2 VCC1 X1 X2 SCLK I/O P1.0 P1.1 P1.2

GND RST

DS1302

89S51


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