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2010年新安职高电子专业一练试题


新安职高 2010 年对口高招电子专业一练考试试题
一、 选择题(每小题 3 分,共 3 分。每小题中只有一个选项是正确的,请将正 确答案涂在答题卡上) 1、NPN 三极管工作在饱和状态时三个电极的关系是( A、UB>UC,UB>UE B、UE> UC ,UC >UB ) D、UE>UB>UC )。

C、UC >UB > UE

2、对半导体三极管,测得其发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于( A. 放大状态 B. 截止状态 C. 饱和状态 D. 无法确定 3、稳压值高于 6V 的硅稳压二极管,其电压温度系数一般来说( ) A.大于 0 B.等于 0 C.小于 0 ) D.没有规律

4、滤波电路的目的是(

A、滤除脉动电流中的交流成分 C、改变输出电压

B、将交变电流变成单相脉动电流 D、限制输出电压幅度

5、. 从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低 之外 ,工艺上还要采取如下措施:( A. 发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B. 发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C. 发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D. 发射区掺杂浓度低,集电结面积大 6、加在二极管上的正向电压从 0.65V 增大 10%,流过的电流增大量为( ) A、大于 10% B、小于 10% C、等于 10% D、不变 )

7、若 IB1=20UA,IC1=1MA;IB2=40UA,IC2=2.1MA,则三极管的β 值是 A、50 B、52.5 C、55 D、57.5

8、侧的 NPN 三极管的三电极电压 UB=1.2V,UC=-3V,UE=0.5V,则三极管处 于 A、导通 B、截止 C、放大
1

D、饱和

9、NPN 三极管工作在饱和区的特征是 A、 UB> UE。UB<UC C、UB< UE。UB<UC B、UB> UE。UB>UC D、UB< UE,UB>UC

10、三极管的两个 PN 结都反偏则三极管处于 A、放大 B、截止 C、饱和 D、导通

11 放大电路中,静态点的调整元件是 A、RB B、RC C、VCC D、RE

12、NPN 三极管基极与发射极短接则三极管 A、发射结正偏 B、集电结正偏 C、截止 D、饱和

二、判断题(每小题 2 分,共 30 分。在答题卡的括号内正确的打“√”,错误 的打“Χ ”) 13、因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 14、大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 15、P 型半导体中,空穴是多数载流子 16、PN 结具有单向导电性,加正向电压时,导通 17、固定偏置电路静态工作点不如分压偏置电路稳定 18、普通二极管可做稳压管使用 19、三极管可以放大能量 ( ( ) ) ( ) ( ) ) ( ( ) )

20、三极管的β 值越大管子性能越稳定 ( 21、所有二极管不能正常工作在击穿区

22、加在稳压二极管上的反向电压不允许超过击穿电压 23、温度升高,三极管穿透电流减小,管子稳定变好

24、共发射极放大器的输出信号和输入信号反相,射极输出器也一样。 ( 25、在某些场合可以将稳压二极管正偏取得 0.7V 电压
2



26、光敏二极管也工作在反向状态 27、放大器对任何频率信号可以同等放大( 三、简答题 (每小题 6 分,共 12 分) 28、15.判断(a)(b)(c)(d)各电路是否有放大作用?如无放大作用,则说明理由。 、 、 、 )

29、一只 NPN 三极管,各级对地电位分别是 VX = 2V, VY = 6V, VZ = 2.7V。 试判别 VX


VY , VZ 对应管脚。

四、计算(每小题 12 分,共 36 分) 30.图示为共射基本放大电路,要求:
(1)画出交流通路; (2)画出直流电路; (3)已知 I BQ ? 40μ A , I CQ ? 3.2 mA , ? ? 80 ,求 Vbe; (4)设 Vi ? 20 / 2 mV ,求电压放大倍数 AV 及输出电压 Vo。
3

31.按规范要求画出桥式整流电路的电路图。图中电器件要有:变压器、整流桥、滤波电容、负载电
阻。



32、用万用表测得在某电路中工作的三极管的 VCE ? 3V , VBE ? 0.67 V , I E ? 5.1mA , I C ? 5 mA ,
求: I B 和 ? 的值。

五、技能分析题(每小题 8 分,共 16 分) 33、2.电路如图 4-2 所示,其中三极管?=50,VBEQ=0。TV 其他参数见图。
(1)画出直流通道图 (2)估算电路的静态工作点 (3)画出交流通道图 (4)计算电压放大倍数

4

34、写出用万用表判断三极管的法与步骤。

5


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