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中职电子技术基础期中试卷


2012 年秋学期 《电子技术基础》 期中测试
2012.11. 一、填空题(0.5’×50)
1、半导体中有两种载流子: 2、晶体二极管具有 压时截止。 3、晶体三极管具有 电流的变化去控制较大的 4、晶体三极管内部结构有三个区: 结: 母 、 和 、 作用,是一种 电流变化。 区、 、 区和 和 区;两个 PN ,分别用字 控制型器件,通过 和 特性,即加

。 电压时导通,加 电

;三个电极: 表示。

5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是: 条件(内部条件)是: 、

、 、 和

工艺 。 两种

6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同,分为 类型,它们的图形符号分别为 型。 7、晶体三极管有三种基本联接方式: 接法。三极管的三个电极中, 输出端。 9、硅管的门坎电压约为 为 V,导通电压约为 V,导通电压约为 V。 接法、 和

,基区为 N 型半导体的是

接法和

极既可以作为输入端,又可以作为

V;锗管的门坎电压约

10、 若测得某晶体三极管的电流为: IB=20?A 时,C =2mA; IB=60?A 时,C =5.4mA, 当 I 当 I 则可求出该管β 为 ,ICEO 为 区、 ,ICBO 为 与 区和 。 对应值的关系, 区。当三极管工 区时, 区时,具有 12、晶体三极管的输出特性曲线是在 IB 一定时,测出 它可以分为三个区域,即 作在

区时,关系式 IC =β IB 才成立;当三极管工作在 区时,VCE≈0;三极管在

IC≈0;当三极管工作在 恒流特性。

二、判断题(2’×10)
1、晶体二极管一旦发生击穿,就会被烧毁。 2、N 型半导体的多数载流子是电子,因此 N 型半导体带负电。 3、环境温度升高,晶体二极管的反向饱和电流将增大。 4、在半波整流电路中,二极管极性接反,将无整流作用。 5、用万用表测量小功率二极管,一般使用 R×10KΩ 挡。 ( ( ( ( ( ) ) ) ) )

6.用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“+”号插 孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极 是负极。 ( )

7、无论哪种晶体三极管,当处于放大状态时,b 极电位总是高于 e 极电位,c 极电 位也总是高于 b 极电位。 ( )

8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成,所以 e 极和 c 极可以互换 使用。 9、对于 NPN 型三极管,若 VBE>0,VBE>VCE,则该管工作在饱和状态。 10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。 ( ( ( ) ) )

三、选择题(2’×10)
1、某硅二极管反向击穿电压为 150 伏,则其最高反向工作电压为( A、约等于 150 伏 B、可略大于 150 伏 ) C、不得大于 40 伏 R D、等于 75 伏
+
2KΩ V

2、电路如图所示,图中二极管为理想二极管, 当输入电压 Vi=0V 时,输出电压 Vo=( 当输入电压 Vi=20V 时,输出电压 Vo=( A、3V B、0V C、10V )V; )V。 D、20V

R

200Ω
VO

Vi

3V

_

3、在一块放大电路板上,测得某三极管对地电位如图所示,则 管子的导电类型,管脚自左至右的顺序分别为( A、NPN 型,ebc C、NPN 型,bce B、PNP 型,ebc D、PNP 型,bce ) 。 ) 。

4.在半波整流滤波电路中,如已知 V2=10V,则负载 RL 上的输出电压为( A.12V B.9V C.4.5V D.10V (

5.晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流 IC 将 A.随 IB 增加而增加 B.随 IB 增加而减少

) 。

C.与 IB 无关,只决定于 VG 和 RC 6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零, 反向电阻为无穷大,则电压 VAB 为( A.-3V C.8V B.5V; D.-8V ( )。 ) 。

7、三极管各电极对地电位如下图所示,工作于饱和状态的三极管是

A

B

C

D ( ( ) 。 ) 。

8、上图中处于截止状态的三极管是 9、分压式偏置电路中,如 Rb1 增大,电路中其余条件不变,则 IC 将 A.增大 B.减小 C.不变

D.无法确定

四、分析计算题(35’)
1.画出下图放大电路中的交、直流通路。 (8’)
R
+

+VG
Rb1 Rc C2

-VG

C3

Rb

Rc C2

+

+

C1
C1
+

+

RL V
+

+

V

RL

+

Rb2
Ce

Re Ce
+

Re

_

_

(a)

(b)

2、试判断下图中的二极管状态,并计算输出电压 Vo。 (4’)

V V R 10V 3V 2KΩ

A

Vo
B

3、如图所示放大器中已知 VG =15V,RC=3KΩ ,Rb=500 KΩ ,β =60,试估算放大器 的静态工作点和输入电阻 ri、输出电阻 ro、和电压放大倍数 AV。 (12’)
+VG
Rb Rc C2 C1
+

+ _

RL V

4、如图所示分压式偏置电路中中:VG =12V,Rb1=200 KΩ ,Rb2=100KΩ ,RC=2KΩ , β =60,试估算 ICQ 和 VCEQ。 (6’)
Rb1 Rc C2 C1
+

5、画出单相半波整流电路图,若输出电压 VL 为 45V,负载 RL=5KΩ ,试计算变压器 次级电压 V2 和流过二极管的电流 IV 及二极管承受的最大反向电压 VRM。(5’)

+

+V G

+

RL V

+

+

Rb2

Re

Ce

_


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