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模电选择填空


问题 1
稳压管在使用时应与负载
限流电阻 并联

2 分 保存
,并与输入电源之间必须加入一个



问题 2 PN 结上不加外部电压时,扩散电流 漂移电流。 A. 不能确定 问题 3
任何情况下,稳压管都一定工作在反向击穿状态。

2 分 保存


B. 等于

C. 大于

D. 小于 1 分 保存

对 错 问题 4
放大电路的主要性能指标包括:
增益 输入电阻 失真

5 分 保存
、 。
输出电阻





频率响应



问题 5

2 分 保存

共集电极放大电路的特点是( )。
A. 输出与输入同相,电压增益略小于 1 B. 输出与输入同相,电压增益略大于 1; C. 输出与输入反相,电压增益略大于 1 D. 输出与输入反相,电压增益略小于 1; 问题 6 2 分 保存
电路如图所示,其中 VCC=15V,VBB=2V,β =50,VBE=0.7V,Rc=5 kΩ ,若 三极管处于临界饱和状态,则 Rb= 。

A. 25 kΩ B. 50 kΩ C. 11 kΩ D. 22 kΩ

问题 7
对于结型场效应管,当导电沟道出现预夹断时,漏极电流为零。

2 分 保存

对 错 问题 8 1 分 保存
因为 PN 结具有内电场,所以当把 PN 结两端短路时就有电流流过短路线。

对 错 问题 9 在杂质半导体中少数载流子的浓度主要取决于 。 A. 掺杂工艺 B. 温度 C. 晶体缺陷 D. 杂质浓度 问题 10
在本征半导体中掺入 的多数载流子为
五价

2 分 保存

2 分 保存
元素构成 N 型半导体,该类型半导体中 。 (用中文填写)

自由电子

问题 11
影响放大电路高频特性的主要因素是耦合电容和旁路电容的存在。

2 分 保存

对 错 问题 12 2 分 保存
若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管 子应为 。

A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大,反向电阻小 C. 正向电阻小,反向电阻非常大 D. 正、反向电阻都等于无穷大 问题 13 半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为 。 2 分 保存

A. N 型半导 体 问题 14

B. 不确 定

C.

P型 半导体

D. 本征半导 体 2 分 保存

两个β 相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为( )。

A. 1+β 问题 15

B. 2β

C. β2

D. β 2 分 保存

设图中二极管的导通压降 VD=0.7V,则输出电压为 。

A. 4.7V 问题 16

B. 4V

C. .7V

0 D. -3.3V 2 分 保存

当 PN 结外加正向电压时,扩散电流
变窄 /变小

远大于

漂移电流,耗尽层



问题 17

2 分 保存
如图所示集成运放电路,Vi=0.5V,R1=10kΩ,R2=10kΩ,Rf=100kΩ, Vo 应为( )。

A. 5V 问题 18

B. -5V

C. -8V

D. -0.5V 3 分 保存

理想运算放大器的电路模型中,可认为输入电阻
无穷小

无穷大

、输出电阻

和开环增益

无穷大

。(用中文回答)

问题 19

2 分 保存
测得某电路中 PNP 型晶体管的三个管脚的电位分别为 VB=5V、VC=2V、 VE=5.7V,则该管工作在 状态。

A. 截止 B. 饱和

C. 不能确定 D. 放大 问题 20
PN 结在无外加电压时,结电流为零。

1 分 保存

对 错 问题 21 2 分 保存
一个处于放大状态的电路,当输入电压是 10mV 时,输出电压为 7V,输入 电压是 15mV 时,输出电压为 6.5V,以上均为直流电压,则该电路的放大 倍数为
-100

问题 22
当信号频率等于放大电路的 fL 或 fH 时,放大电路的增益约下降到中频时 的。

2 分 保存

A. 0.5 倍 问题 23
频率失真又称

B. 5 倍

C. 9 倍

D. 0.707 倍 3 分 保存

线性失真

,是

幅度失真



相位失真

的总称。

问题 24 三极管工作于放大状态的条件是( )。 A. 发射结正偏,集电结反偏 B. 发射结正偏,集电结正偏 C. 发射结反偏,集电结反偏 D. 发射结反偏,集电结正偏 问题 25 PN 结正向偏置时,其内电场被( ) A. 不确定 问题 26
要使放大电路的动态范围大,必须使静态工作点设置在交流负载线的中 间。

2 分 保存

2 分 保存

B. 不变

C. 削弱

D. 增强 1 分 保存

对 错 问题 27
P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

1 分 保存

对 错 问题 28
对 BJT 下列说法正确的是 。

2 分 保存

A. 发射极和集电极不能调换使用,因为 BJT 发射区和集电区的结构 不对称,发射区掺杂浓度比集电区高 B. 发射极和集电极不能调换使用,因为 BJT 发射区和集电区的结构 不对称,发射区掺杂浓度比集电区高 C. 发射极和集电极可以调换使用,因为 BJT 发射极和集电极的电流 基本相同 D. 发射极和集电极可以调换使用,因为 BJT 发射区和集电区的结构 对称 问题 29
稳压二极管稳压时是处于
正向 反向

2 分 保存
偏置状态,而二极管导通时是处于

偏置状态。

问题 30
由于 ,可知 rbe 是静态量。

2 分 保存

对 错 问题 31 2 分 保存
图中是放大管的不完整的符号,根据图中所给出的数据和电流方向,可判 断出管子为_________型,而且管子的材料为________,电流放大系数β 为_________。

A.

NPN ,锗,50

B. PNP,锗,20 C. NPN,硅,50 D. PNP,硅,20

问题 32
PN 结正向偏置时,其内电场被
减小

2 分 保存


问题 33

2 分 保存
由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相位 移,因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 失真。

A. 截止 B. 频率 C. 饱和 D. 交越 问题 34
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 子的浓度则与
温度 掺杂浓度

2 分 保存
,而少数载流

有关。

问题 35
在本征半导体中掺入 3 价元素时构成
P

2 分 保存
型半导体。

问题 36
镜像电流源适用于工作电流为微安级的场合。

2 分 保存

对 错 问题 37 2 分 保存
某 NPN 型三极管的输出特性曲线如图所示,当 VCE=6V,其电流放大系数 β 为( )。

A. 150 问题 38

B. 25

C. 50

D. 100 4 分 保存

放大电路按照实际的输入信号和输出信号的分类,可分为
电压放大



电流放大



互导放大



互阻放大

电路等四种模型。 2 分 保存

问题 39
理想运算放大器的两个输入端的输入电流近似等于零的现象称为 。

A. 虚地 问题 40

B. 断路

C. 虚断

D. 虚短 2 分 保存

P 型半导体中的多数载流子是

空穴

,少数载流子是

自由电子



问题 41
由 BJT 构成的共基极放大电路具有电流放大、电压跟随的特点。

1 分 保存

对 错 问题 42
当放大电路的电压放大倍数为 0.1 倍时,其电压增益为( )

2 分 保存

A. 10dB 问题 43

B. 20dB

C. 40dB

D. -20dB 2 分 保存

低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。

A. 半导体管的非线性特性 B. 耦合电容和旁路电容的存在 C. 放大电路的静态工作点不合适 D. 半导体管极间电容和分布电容的存在 问题 44
图中二极管为理想器件,V1 工作在
导通 截止

2 分 保存
状态,V2 工作在

状态。

问题 45
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为 0 V,-10 V,9.3 V,则这只三极管是 。

2 分 保存

A. NPN 型硅管

B. PNP 型锗管 C. NPN 型锗管 D. PNP 型硅管 问题 46
二极管主要具有
单向导电

2 分 保存
的特性

问题 47
稳压管是工作在
并联 反向击穿区

2 分 保存
的二极管,在稳压电路中,稳压管应与负载

连接。

问题 48
场效应管中只有一种载流子参与导电。

1 分 保存

对 错 问题 49 V1=2V、V2=6V、V3=2.7V,则 。 A. 1 为 b,2 为 c,3 为 e B. 1 为 b, 2 为 e,3 为 c C. 1 为 e,2 为 c,3 为 b D. 1 为 e ,2 为 b ,3 为 c 问题 50
某放大电路的电压增益为 20dB 时,则其电压放大倍数为( )

2 分 保存 用直流电流表测的放大电路中某晶体管电极 1、2、3 的电位各为

2 分 保存

A. -20 倍

B. 1 倍

C. 0.1 倍

D. 10 倍


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